Диоды справочник
Опубликовано: 28.08.2018
Справочные характеристики диодов |
Все эти компоненты различаются по назначению, применяемым материалам, типам р-n переходов, конструктивному исполнению, мощности и прочим признакам и характеристикам. Широкое распространение получили выпрямительные, импульсные диоды, варикапы, диоды Шотки, тринисторы, светодиоды, и тиристоры. Рассмотрим их основные технические характеристики и общие свойства, хотя у каждого типа из этих полупроводниковых компонентов много и своих сугубо индивидуальных параметров.
Маркировка импортных диодов по системе JEDEC
Выпрямительные диоды справочник |
Это электронные приборы с одним p-n переходом обладающие односторонней проводимостью и предназначенные для преобразования переменного напряжения в постоянное. Частота выпрямляемого напряжения как правила не более 20 кГц. К выпрямительным диодам относятся также и диоды Шотки.
SMD диоды 1N4007 из Китая
Основные параметры выпрямительных диодов малой мощности при нормальной температуре приведены в таблице 1 выпрямительных диодов средней мощности в таблице 2 и выпрямительных диодов большой мощности в таблице 3
Разновидностью выпрямительных диодов являются лавинные диоды . Эти приборы на обратной ветви ВАХ имеют лавинную характеристику подобную стабилитронам. Наличие лавинной характеристики позволяет применять их в качестве элементов защиты цепей от импульсных перенапряжений, в том числе непосредственно в схеме выпрямителей.
В последнем случае выпрямители на этих диодах надежно работают в условиях коммутационных перенапряжений, возникающих в индуктивных цепях в момент включения, выключения сети питания или нагрузки. Основные параметры лавинных диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в таблице 4
Выпрямительные столбы справочникДля выпрямления напряжения свыше нескольких киловольт разработаны выпрямительные столбы, которые представляют собой совокупность выпрямительных диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию с двумя выводами. Эти приборы характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные диоды. Основные параметры выпрямительных столбов при нормальной температуре окружающей среды приведены в таблице 5
Для уменьшения габаритных размеров выпрямителей и удобства их монтажа выпускаются выпрямительные блоки (сборки), имеющие два, четыре или более диода, электрически не зависимые или соединенные в виде моста и собранных в одном корпусе. Основные параметры выпрямительных блоков и сборок при нормальной температуре окружающей среды приведены в таблице 6
Импульсные и тунельные диоды справочник |
Диоды импульсные отличаются от выпрямительных малым временем обратного восстановления, или большой величиной импульсного тока. Диоды этой группы могут быть использованы в выпрямителях на высокой частоте, например, в качестве детектора или модуляторах, преобразователях, формирователях импульсов, ограничителях и других импульсных устройствах смотри справочные таблицы 7 и 8
Диодные матрицы и сборки предназначены для использования в многоступенчатых диодно-резистивных логических устройствах, выполняющих операции И, ИЛИ, диодных функциональных дешифраторах, различных коммутаторах тока и других импульсных устройствах. Их основные параметры вы можете просмотреть в справочник таблице 9
Тунельные диоды выполняют функции активных элементов (приборов, способных усили-шать сигнал по мощности) электронных схем усилителей, генераторов, переключателей преимущественно СВЧ диапазонов. Туннельные диоды обладают большим быстродействием, малыми габаритными размерами и массой, устойчивы к радиации, надежно работают в широком интервале температур, энергоэкономичны
Основные параметры туннельных и обращенных диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в таблице 10
Стабилитроны, стабисторы и ограничители напряжения справочник |
Стабилитроны - их принцип действие основан на электрическом (лавинном или туннельном) пробое p-n-перехода, при котором происходит резкое увеличение обратного тока, а обратное напряжение изменяется очень мало. Это свойство использовано для стабилизации напряжения в электрических цепях.В связи с тем что лавинный пробой характерен для диодов, изготовленных на основе полупроводника с большой шириной запрещенной зоны, исходным материалом для стабилитронов служит кремний. Кроме этого, кремний обладает малым тепловым током и устойчивыми характеристиками в широком диапазоне температур. Для работы в стабилитронах используют пологий участок ВАХ обратного тока дисда, в пределах которого резкие изменения обратного тока сопровождаются весьма малыми изменениями обратного напряжения.
Параметры стабилитронов и стабисторов малой мощности приведены в таблице 11 , стабилитронов и стабисторов большой мощности - в таблице 12 , стабилитронов прецизионных - в таблице 13
Параметры ограничителей напряжения приведены в таблице 14
Варикапы справочник |
Варикапы — это полупроводниковые диоды с электрически управляемой барьерной емкостью перехода. Изменение емкости достигается изменением обратного напряжения. Как и в других диодах, сопротивление базы варикапа должно быть малым. Одновременно для увеличения значения пробивного напряжения желательно большое удельное сопротивление слоев базы, прилегающих к переходу. Исходя из этого основная часть базы — подложка — выполняется низкоомной, а слой базы, прилегающий к переходу, — высокоомным. Варикапы характеризуются следующими основными параметрами. Общая емкость варикапа СБ — это емкость, включающая барьерную емкость и емкость корпуса, т. е. емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном (номинальном) обратном напряжении.
Светодиоды и излучающие диоды ИК-Диапазона справочник |
Светодиод — это полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток непосредственно в световое излучение. Он состоит из одного или нескольких кристаллов, размещенных в корпусе с контактными выводами и оптической системы (линзы), формирующей световой поток. Длина волны излучения кристалла (цвет) зависит от
Диоды излучающие ИК диапазона это такие же светодиоды только излучающие свет в ИК диапазоне
Лазерные диоды Это простейший лазер полупроводникового типа, основа конструкции которого типовой p-n переход. Принцип работы лазерного прибора базируется на том, что после того, как в элемент инжектируются свободные носители заряда в зоне p-n — перехода образуется инверсия населенностей.
Мега подборка справочной документации по всем типам зарубежных диодов и не только, разных фирм справочник. |
Информация в справочнике представлена в формате оригинальных пдф-файлов, и для удобства скачивания разбита в подборки в соответствии с английским алфавитом
Отечественные диоды справочник |
В справочнике даются общие сведения об отечественных полупроводниковых диодах, а именно о, выпрямительных, диодных матрицах, стабилитронах и стабисторов, варикапов, излучающих и свервысоких полупроводниковых приборах. А также повествуется о их классификации и системе условных обозначений. Условно - графичиские обозначения приводятся в соответствии с ГОСТ 2.730-73, а термины и буквеные обозначения параметров в соответствии с ГОСТ 25529-82. Дается немного информации о применение ограничителей напряжения и правила при монтаже диодов. В приложение имеются габаритные чертежи корпусов и алфавитно цифровой указатель для навигации
Оптроны справочник |
В этот справочник-сборник собраны широко распространенные и наиболее часто применяемые в пост советском пространстве полупроводниковые приборы включающие в себя и диоды. В данном информационном пособии можно очень быстро найти нужную информацию на тот или иной радиокомпонент, что может быть очень полезно при написании дипломной работы, да и не только, особенно если учесть, что информация достаточно свежая
Большая база данных по диодам и не только справочник |
Эта база данных не что иное как электронный справочник по полупроводниковым приборам включающий в себя мосты и сборки, да имногие радиокомпоненты тоже.
В справочнике более 65000 радиоэлементов. Присутствует информация от всех ведущих производителей по состоянию на декабрь 2016 года. В справочнике реализованы следующие функции:
Сортировка по нескольким характеристикам в любом порядке справочника
фильтрация почти по всем характеристикам редактирование данных справочника просмотр документации и чертежа корпуса радиоэлемента справочный просмотр листков данных в PDF форматеВ справочной таблицах применены следующие условные обозначения:
Uобр.макс. | - | максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода; |
Uобр.и.макс. | - | максимально-допустимое импульсное обратное напряжение диода; |
Iпр.макс. | - | максимальный средний прямой ток за период; |
Iпр.и.макс. | - | максимальный импульсный прямой ток за период; |
Iпрг. | - | ток перегрузки выпрямительного диода; |
fмакс. | - | максимально-допустимая частота переключения диода; |
fраб. | - | рабочая частота переключения диода; |
Uпр при Iпр | - | постоянное прямое напряжения диода при токе Iпр; |
Iобр. | - | постоянный обратный ток диода; |
Тк.макс. | - | максимально-допустимая температура корпуса диода. |
Тп.макс. | - | максимально-допустимая температура перехода диода. |
Полупроводниковыми диодами называют однопереходные (с одним электрическим переходом) электропреобразовательные приборы с двумя внешними токоотводами. В качестве электрического .перехода может служить электронно-дырочный переход, контакт металл — полупроводник или гетеропереход. На рисунке схематически показано устройство диода с электронно-дырочным переходом 1, разделяющим р-м п-области (2 и 3) с различным типом электропроводимости.
Кристалл 3 снабжают внешними токоотводами 4 и помещают в металлический, стеклянный, керамический или пластмассовый корпус 5, защищающий полупроводник от внешних воздействий (атмосферных, механических и т. д.). Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные электронно-дырочные переходы. Одна область полупроводника (с более высокой концентрацией примесей) служит эмиттером, а другая (с более низкой концентрацией)—базой. При прямом подключении внешнего напряжения к диоду инжекция неосновных носителей заряда в основном происходит из сильнолегированной области эмиттера в слаболегированную область базы.
Количество неосновных носите лей, проходящих в противоположном направлении, значительно меньше инжекции из эмиттера. В зависимости от соотношения линейных размеров перехода и характеристической длины различают плоскостные и точечные диоды. Плоскостным считают диод, у которого линейные размеры, определяющие площадь перехода, значительно больше характеристической длины.
Характеристической длиной в справочнике для диодов является наименьшая из двух величин — толщина базы и диффузионная длина неосновных носителей в базе. Они определяют свойства и характеристики диодов. К точечным относят диоды с линейными размерами перехода, меньшими характеристической длины. Переход на границе раздела областей с различным типом проводимости обладает свойствами выпрямления (односторонней проводимости) тока; нелинейностью вольт-амперной характеристики; явлением туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер как при обратном, так и прямом смещении; явлением ударной ионизации атомов полупроводника при относительно больших для перехода напряжениях; барьерной емкостью и др. Эти свойства перехода используют для создания различных видов полупроводниковых диодов.
По диапазону частот, в котором диоды могут работать, их подразделяют на низкочастотные (НЧ) и высокочастотные (ВЧ). По назначению НЧ диоды подразделяют на выпрямительные, стабилизирующие, импульсные, а ВЧ диоды — на детекторные, смесительные, модулярные, параметрические, переключательные и т. д. Иногда в особую группу выделяют диоды, отличающиеся основными физическими процессами: туннельные, лавинно-пролетные, фото-, светодиоды и др.
По материалу основного кристалла полупроводника различают германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые и другие диоды. Для обозначения полупроводниковых диодов в справочнике используют шести и семизначный буквенно-цифровой код (например, КД215А, 2ДС523Г).
Первый элемент — буква (для приборов широкого применения) или цифра (для приборов, используемых в устройстве специального назначения) —указывает материал, на основе которого изготовлен прибор: Г или 1 — германий; К или 2 — кремний и его соединения; А или 3 — соединения галлия (например, арсенид галлия); И или 4 — соединения индия (например, фосфид индия).
Второй элемент — буква,указывающая подкласс или группу приборов: Д — выпрямительные, импульсные диоды; Ц — выпрямительные столбы и блоки; В — варикапы; И — импульсные туннельные диоды; А — СВЧ диоды; С — стабилитроны.
Третий элемент — цифра — определяет один из основных признаков, характеризующих прибор (например, назначение или принцип действия).
Четвертый, пятый и шестой элементы — трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора.
Седьмой элемент — буква — условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. Пример обозначения: 2ДС523Г — набор кремниевых импульсных приборов для устройств специального назначения с временем установления обратного сопротивления от 150 до 500 не; номер разработки 23, группа Г. Приборы разработки до 1973 г в справочниках. имеют трех и четырех элементную системы обозначений.